삼성전자의 HBM4 개발현황 및 전략(feat. SK 하이닉스와 차별화)

최근 삼성전자의 행보가 예사롭지 않네요. 1분기 실적 발표에서 메모리 반도체 부문의 다소 아쉬운 성적표를 받았지만, 차세대 고대역폭메모리(HBM)를 중심으로 한 전략은 자신감으로 가득 차 보입니다. 특히 인공지능(AI) 가속기 시장의 핵심으로 떠오른 HBM 분야에서, 경쟁사보다 한발 앞선 맞춤형 HBM4 전략을 통해 시장의 판도를 완전히 뒤집겠다는 야심찬 계획을 드러냈습니다. 과연 삼성전자의 이 승부수가 시장에 어떤 파장을 일으킬지, 그 '게임체인저'의 정체를 자세히 살펴보겠습니다.

1분기 주춤했던 메모리 사업, HBM3E와 HBM4에 기대를 걸다

삼성전자는 2025년 1분기에 매출 79조 1405억원, 영업이익 6조 6853억원을 기록하며 전년 동기 대비 소폭 성장했습니다. 하지만 반도체 사업을 담당하는 DS 부문의 영업이익은 HBM과 파운드리 사업의 부진으로 47.6%나 감소하며 아쉬움을 남겼습니다. 특히 미국의 대중국 반도체 수출 통제 여파로 HBM 판매가 줄어든 것이 뼈아팠죠.

하지만 삼성전자는 곧 다가올 2분기부터 HBM3E 개선품의 본격적인 납품을 통해 메모리 사업의 회복을 자신하고 있습니다. 김재준 메모리사업부 전략마케팅실장은 HBM 판매량이 1분기를 저점으로 매 분기 꾸준히 증가할 것이라고 전망하며 강한 자신감을 내비쳤습니다.

더욱 주목해야 할 점은 바로 하반기부터 본격적으로 출격할 HBM4입니다. HBM4는 기존 제품과 달리 '베이스다이'를 파운드리 공정을 활용해 생산하는 혁신적인 방식을 채택했습니다. 이는 메모리 반도체 시장의 경쟁 구도를 완전히 바꿀 수 있는 '게임체인저'로 평가받고 있습니다.

맞춤형 HBM4 전략, 경쟁사와의 차별화를 선언하다

삼성전자가 HBM4에 거는 기대는 단순한 성능 향상 그 이상입니다. 삼성전자는 HBM4부터 고객사의 특화된 주문을 반영한 '맞춤형 HBM'을 제공하겠다는 전략을 발표했습니다. 이는 7세대 HBM(HBM4E)부터 맞춤형 제품 생산을 계획하고 있는 SK하이닉스와 차별화되는 중요한 지점입니다.

이러한 맞춤형 전략은 메모리 사업과 파운드리 사업을 동시에 운영하는 삼성전자의 강점을 극대화하기 위한 것으로 분석됩니다. 외부 협력사와 협업해야 하는 경쟁사와 달리, 삼성전자는 한 지붕 아래에서 유기적인 협력을 통해 고객의 요구에 최적화된 HBM 솔루션을 신속하게 제공할 수 있다는 이점을 가지고 있습니다. 특히 자체 파운드리 사업부의 4나노미터 첨단 공정을 활용해 HBM4의 베이스다이를 생산할 계획이라는 점에서 기술적인 우위 또한 확보할 수 있을 것으로 보입니다.

HBM을 넘어 범용 메모리와 파운드리까지, 삼성의 넓어진 보폭

삼성전자의 혁신은 HBM에만 머무르지 않습니다. 범용 메모리 시장에서는 128GB 고용량 DDR5 공급을 하반기부터 본격화하며 프리미엄 제품 중심으로 시장 수요에 적극적으로 대응할 계획입니다. 또한 저전력 DDR6, LPW D램, LP-PIM 등 미래 시장을 겨냥한 차세대 제품 개발에도 박차를 가하고 있습니다.

낸드플래시 부문에서는 8세대 V낸드플래시로의 공정 전환을 통해 원가 경쟁력을 확보하고, 파운드리 사업부는 2나노미터 최첨단 공정과 특화 공정 고객사 확보에 주력하며 시스템LSI 사업부는 엑시노스 AP 공급 확대를 추진하는 등 각 사업 부문별로 경쟁력 강화에 힘쓰고 있습니다.

결론적으로, 삼성전자는 1분기 다소 주춤했던 메모리 사업을 HBM이라는 강력한 무기를 통해 반등시키고, 더 나아가 맞춤형 HBM4 전략으로 AI 반도체 시장의 주도권을 확보하겠다는 의지를 분명히 하고 있습니다. 메모리와 파운드리라는 두 개의 핵심 사업을 동시에 운영하는 강점을 바탕으로, 경쟁사와의 차별화를 꾀하며 미래 반도체 시장의 판도를 어떻게 바꿔나갈지 귀추가 주목됩니다. 삼성전자의 자신감에는 분명한 이유가 있어 보이는군요.